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有色金属(冶炼部分):2020,(1):56-59
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高硅富铟渣氧压酸浸过程中浸铟沉硅的研究
吴鑫, 贺山明, 梁勇, 廖春发
(江西理工大学 冶金工程学院)
Study on Indium Leaching and Silicon Precipitation from Indium-Rich High-Silicon Bearing Slag during Oxygen Pressure Acid Leaching
Xin Wu, Shanming He, Yong Liang, Chunfa Liao
(Faculty of Metallurgical Engineering,Jiangxi University of Science and Technology)
摘要
图/表
参考文献
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投稿时间:2019-09-05     修订日期:2019-09-09     录用日期:2019-09-10     网络发布日期:2019-12-18
中文摘要: 采用氧压酸浸工艺处理高硅富铟渣,系统考察了始酸浓度、氧分压、反应温度、反应时间和液固比等对浸铟沉硅效果的影响。试验结果表明:在始酸浓度120 g/L、液固比5:1、釜内压力0.6 MPa、反应温度160 ℃、反应时间1.5 h的条件下,铟浸出率高达97.3%,硅沉淀率为98.5%;高压高温工艺能抑制富铟渣酸浸过程中硅胶的形成,浸出矿浆的过滤性能良好。
中文关键词: 富铟渣  氧压酸浸  硅胶  浸出率
Abstract:Indium-rich slag was treated by oxygen pressure acid leaching process. Effects of initial acid concentration, pressure in autoclave, temperature, time and L/S on indium leaching and silicon precipitation were investigated. The results show that indium leaching rate is 97.3% and silicon precipitation rate is 98.5% under the conditions including initial acid concentration of 120 g/L, L/S=5/1, pressure in autoclave of 0.6 MPa, reaction temperature of 160 ℃,and reaction time of 1.5 h. High pressure and high temperature process can inhibit formation of silica gel during acid leaching of indium-rich slag, and leaching slurry has good filtration performance.
文章编号:     中图分类号:    文献标志码:
基金项目:国家自然科学基金青年基金资助项目(51704133);江西省省级研究生教改研究项目(JXYJG-2018-127);江西理工大学清江青年英才支持计划项目(JXUSTQJBJ2017004);江西理工大学校级大学生创新创业训练计划项目(DC2018-015)
引用文本:
贺山明,吴鑫,梁勇,廖春发.高硅富铟渣氧压酸浸过程中浸铟沉硅的研究[J].有色金属(冶炼部分),2020(1):56-59.
Shanming He,Xin Wu,Yong Liang,Chunfa Liao.Study on Indium Leaching and Silicon Precipitation from Indium-Rich High-Silicon Bearing Slag during Oxygen Pressure Acid Leaching[J].Nonferrous Metals (Extractive Metallurgy),2020(1):56-59.

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