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中文摘要: 研究了氧化剂碘酸钾及抛光粒子CeO2的浓度、抛光转速和抛光压力对铜的化学机械抛光速率的影响,并初步解释了影响因素的机理.实验表明在一定范围内材料的去除速率与抛光压力、抛光转速的关系可以用Preston方程的一般式R=KPαVβ来表示,并据此可得到α,β和K的值;而氧化剂和抛光粉浓度对抛光速率的影响无明确的规律.在0.2 mol/L KIO3＋5%CeO2、压力11.703 kPa、转速25 r/min的条件下,铜去除速率为43.9 nm/min,抛光效果Ra=10.9 nm,Rmax=112 nm.
Abstract:
文章编号： 中图分类号：TG146.11 文献标志码：
基金项目:
HU Jian-dong LI Yong-xiu ZHOU Xue-zhen
1 School of Science and Technology of Material, Nanchang University, Nanchang 330031, China; 2. School of Science, Nanchang University, Nanchang 330047, China
引用文本：
胡建东,李永绣,周雪珍.铜在含碘酸钾的CeO2浆料中CMP的抛光速率及影响因素的研究[J].有色金属（冶炼部分）,2007(4):53-55.
.Polishing Rate and Dependent Factors of Copper in CeO2 Slurry Containing KIO3 during CMP[J].Nonferrous Metals (Extractive Metallurgy),2007(4):53-55.
胡建东,李永绣,周雪珍.铜在含碘酸钾的CeO2浆料中CMP的抛光速率及影响因素的研究[J].有色金属（冶炼部分）,2007(4):53-55.
.Polishing Rate and Dependent Factors of Copper in CeO2 Slurry Containing KIO3 during CMP[J].Nonferrous Metals (Extractive Metallurgy),2007(4):53-55.
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