中文摘要: 在小型电解槽中研究高电流密度脉冲电解制备纯铜的工艺条件，并用XRD，SEM及等离子体质谱仪研究杂质对阴极铜沉积的结构和组成的影响，研究表明：30℃时，脉冲电解制备纯铜的工艺条件为；平均电流密度800A/m^2，峰电流密度4000A/m^2，脉冲宽度2.0ms，脉冲频率100Hz，占空比1：4。不用添加剂时，电解液中有害杂质的允许含量为（g/L):As^5 ≤0.03,Sb^3 ≤0.005,Bi^3 ≤0.005；用添加剂（mg/L):Cl^-3.0,(NH2)2CS0.75-1.0,glue1.0-1.5，电解液中有害杂质的允许含量为（g/L):As^5 ≤0.5,Sb^3 ≤0.03,Bi^3 ≤0.05。测试结果表明；当电解液中不含杂质时，铜沉积（220）晶面为择优取向，结晶形态为层状，电解液中含杂质时，铜沉积的（220）晶面择优取向更强，结晶形态为层状混块状。