中文摘要: 应日本ＳＥＩ公司的要求，通过大量的试验，研究出制备超细ＩＴＯ粉末（Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２的独特工艺，使一次平均粒径达０．２￣０．３μｍ，比日本目前水平平均粒径１￣３μｍ约小一个数量级。用它制备的透明电极ＩＴＯ薄膜，相对密度（Ｒ．Ｄ值）高达９５％￣９８％，高于日本市场要求的技术水平。本工艺具有极好的再现性，大大地简化了工序减少了玷污，为工业生产透明电极材料ＩＴＯ超细粉末创造了条件。